В производство транзисторов на базе воронежского НИИЭТ вложат 4,4 млрд рублей

ГК «Элемент» планирует вложить 4,4 млрд рублей в производство силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN) на базе воронежского НИИ электронной техники (НИИЭТ). Об этом сообщает «КоммерсантЪ».

Вложения позволят дополнить существующие мощности предприятия по сборке транзисторов кристальным производством электронных компонентов. Таким образом на базе НИИЭТ будет создано первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла.

Проектная мощность нового производства составит 5,5 тыс. пластин в 200-миллиметровом эквиваленте в год. Под проект привлекается льготное финансирование в рамках кластерной инвестиционной платформы.

При помощи нитрида галлия можно будет производить транзисторы, работающие при более высоких температурах, на более высоких частотах, с большей плотностью мощности и энергоэффективностью, чем приборы на основе кремния.

• Ранее сообщалось, что ПАО «Элемент» инвестирует более 790 млн рублей в расширение производства на АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» (НИИЭТ) в Воронеже.